Напоминание

Новость от 20.06.2017

100-тысячным выпускником РУДН станет врач из Непала


22 июня ректор РУДН В.М. Филиппов наградит 100-тысячного выпускника РУДН. Юбилейный титул получит Баттарай Хари из Непала, который на «отлично» окончил Медицинский институт по специальности «Лечебное дело».

В РУДН обучаются 7500 иностранных студентов из 154 стран. Большинство проходит обучение на русском языке. Наиболее популярные направления: лечебное дело, юриспруденция, стоматология, лингвистика, международные отношения, филология, экономика, строительство, нефтегазовое дело, фармация.  Устойчивым спросом пользуются программы агробиологического профиля и математика, химия, физика. Больше всего в РУДН студентов из следующих стран дальнего зарубежья: Китай, Вьетнам, Сирия, Намибия, ЮАР, Нигерия, Афганистан, Монголия, Кот-Д’Ивуар, Колумбия.

Отбор кандидатов на звание «100-тысячный выпускник РУДН» проводился в 2 этапа. Изначально факультеты и институты предложили несколько десятков кандидатур, из которых было рекомендовано 9 студентов из Вьетнама, Йемена, Непала, Нигерии и других стран. Каждый из них подготовил видеовизитку и представил портфолио со своими достижениями. Итоговое решение о том, кто получит титул «100-тысячный выпускник», вынесли члены большого Ученого совета РУДН.

Родители Баттарая уже прибыли в Москву, чтобы поддержать своего сына на выпускных церемониях.

Справочно

50-тысячным выпускником РУДН стал гражданин Эквадора Атиенсия Вильягомес Хосе Мигель, окончивший инженерный факультет по специальности «Автоматизация и управление». Он специализируется на информационных системах и продолжил обучение в аспирантуре РУДН, сейчас он преподает в департаменте механики и мехатроники Инженерной академии РУДН в должности доцента.

22 июня ректор РУДН В.М. Филиппов вручит почетный знак «100-тысячный выпускник РУДН». Церемония назначена на 10.00 и пройдет в главном корпусе РУДН – ул. Миклухо-Маклая, д. 6, зал Ученого совета.

Аккредитация в Управлении по связям с общественностью  84999368512, press@rudn.university


Источник: http://минобрнауки.рф/новости/10234

Вернуться назад